一、芯片定位：被低估的工業(yè)級加密能手
WT56F116S 作為國產(chǎn) 32 位工業(yè)級 MCU，基于 ARM Cortex-M0 + 內(nèi)核，主頻 48MHz，集成64KB Flash+8KB RAM，支持硬件 AES 加密和多通道 DMA。其在電機控制、工業(yè)儀表、智能家居領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，源于 TI MSP430 同款熔絲位加密技術(shù)與動態(tài)數(shù)據(jù)混淆算法，但解密難度卻被行業(yè)低估。
 
二、加密體系：WT56F116S 的 "三位一體" 防御
1. 物理層：熔絲位鎖死機制
編程后燒斷0x3FF80000 地址的熔絲，永久禁用SWD/JTAG 調(diào)試接口
嘗試非法連接會觸發(fā)地址線掩碼，返回全 FF 虛假數(shù)據(jù)
2. 算法層：AES-128 動態(tài)加密
Flash 存儲的代碼以芯片 UID 為密鑰加密，每擦寫一次生成新密鑰
運行時關(guān)鍵數(shù)據(jù)與隨機數(shù)寄存器 RND實時異或，防止內(nèi)存 dump
3. 協(xié)議層：自定義引導(dǎo)加載（UBL）
UBL 需通過16 字節(jié)自定義密碼驗證，支持3 次錯誤自毀
通信波特率動態(tài)變化（2400-115200bps），防止協(xié)議分析
 
 
三、解密路徑：從漏洞挖掘到技術(shù)突破
Step 1：物理攻擊 ——FIB 修復(fù)熔絲位
針對熔絲位鎖死，采用聚焦離子束（FIB）技術(shù)：
開封芯片：用激光剝離 QFN-32 封裝，保留芯片表面鈍化層
晶圓成像：通過 SEM 獲取第 5 層金屬布線圖，定位熔絲位（坐標(biāo) X=234μm,Y=567μm）
線路修復(fù)：在 300nm 精度下，用離子束連接熔絲兩端的N 型阱區(qū)
關(guān)鍵發(fā)現(xiàn)：WT56F116S 的熔絲位采用雙點熔斷設(shè)計，需同時修復(fù)兩個斷點
Step 2：軟件攻擊 ——UBL 協(xié)議逆向
通過分析 2000 組通信數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)密碼驗證漏洞：



利用該漏洞，編寫爆破工具1 小時內(nèi)遍歷1677 萬種組合，成功獲取密碼：0x5A A5 5A A5 5A A5 5A A5
Step 3：數(shù)據(jù)提取 —— 內(nèi)存鏡像技術(shù)
在熔絲位修復(fù)后，通過邊界掃描獲取未加密 RAM 數(shù)據(jù)：


四、實戰(zhàn)案例：某變頻器控制板解密實錄
項目背景：客戶提供故障變頻器，核心控制芯片為 WT56F116S，存儲電機參數(shù)整定算法和廠家校準(zhǔn)密鑰。
實施過程：
電壓毛刺攻擊：在 SWD_CLK 線注入**±0.5V 脈沖**，迫使芯片進入測試模式
功耗分析：通過 2000 次啟動測試，發(fā)現(xiàn)密鑰生成與RTC 時鐘強相關(guān)
代碼恢復(fù)：結(jié)合 FIB 修復(fù)與協(xié)議爆破，36 小時內(nèi)獲取完整代碼
 
 
維動智芯W(wǎng)T56F116S解密方案
? 全流程服務(wù)：從芯片開封、FIB修復(fù)到代碼反匯編
? 獨家工具：UBL協(xié)議分析器+動態(tài)加密破解平臺
? 成功保障：不成功不收費，支持現(xiàn)場解密見證